中国光刻机起步不算晚，上世纪五十年代国家就把半导体技术列为重点。1956年，中科院物理所搞出第一个晶体三极管，标志着中国进入这个领域。那时候，国际上也刚起步，中国跟得上节奏。科研团队用高纯材料实验，测试稳定性，很快就用于计算设备。两年后，1958年又整出锗晶体管，优化掺杂工艺，提升耐用性。这些东西直接支持国防计算需求，中国技术水平在全球前列，没啥明显差距。
六十年代初，经济压力大，但工程师没停下。1962年，他们研制硅平面晶体管，需要化学蚀刻硅片表面画电路。团队试各种酸性溶液，控制温度防缺陷，确保精度。1965年，中科院微电子所和上海电子仪器厂合作，推出65型接触式光刻机。设备用光源曝光光敏层，转图案到硅片。工程师校准对准系统，减曝光误差。比美国1961年产品晚四年，中国还算先进行列。
早期发展靠国家集中资源。团队从基础材料抓起，逐步掌握晶体管生产链。1956到1965年，实验室协作，共享数据，推动迭代。中国半导体在信息化初期有强劲势头。工程师手动调光刻过程，65型机器处理微米图案，满足需求。国际上美国同期探索，中国差距五年内，体现自主能力。
展开剩余70%半导体规划针对长远需求，特别是计算应用。1956年规划后，机构快速组队，采购设备开工。晶体管出生后，马上测试可靠性。六十年代硅平面技术要高精度蚀刻，团队选配方，1962年产品用于集成电路尝试。中国光刻雏形形成，奠基产业。
光刻机研发光学机械结合。1965年型号接触曝光，工程师设计固定装置，掩膜硅片紧贴。测试反复曝光样品，分析清晰度，逐步改。成就得益资源支持。科研人员克服材料短缺，进口元件补实验。从晶体管到光刻机，中国稳步前，位居前列。
七十年代后期，中国光刻继续推。1974年1445所开始研制，到1977年成功GK-3型半自动光刻机。设备提升精度，适用于圆片生产。那时国际竞争加剧，美国1978年推出DSW4800步进光刻机，小区域集成电路，售价高。国内团队投资金，但进度慢，性能难匹配。
经过攻关，1985年中国完成第一台分步光刻机，规格接近美国产品。这时荷兰ASML刚1984年成立，台湾台积电1987年起步。中国有机会持续投入，保持优势。但八十年代政策变，强调经济建设，取消高科技项目。光刻研发资金不足，无法维持。
西方产品涌入，价格低，企业倾向进口，形成“造不如买”理念。民营厂家算成本，自产设备价高精度低，选采购国外机追求效率。科研机构资源限，项目停，人才转领域。进口依赖深，技术差距现。
“造不如买”短期省钱，但忽略风险。八十年代末，企业大量用进口光刻，国内线依赖外部。技术更新跟不上，差距拉大。九十年代观念深入，加入世贸后进口规模扩，半导体企业优先西方设备。缺乏创新动力，产业停滞。
政策调整资金流变。八十年代高精尖下马，包括国防研发。光刻团队散，设备闲。西方蜜月期，企业享廉价进口，忽略封锁。民营兴起，利润导向，进口常态。自产虽基础，但维护高，竞争力弱。迭代中断，国际对手加速。
“造不如买”影响链条。半导体厂家依赖进口，设计限。九十年代ASML积专利，中国落后加剧。贸易开放，企业采购无警惕。进口简化生产，但核心外流风险增。结构倾斜，自主边缘化。
八十年代末，政策导向“造不如买，买不如租”。企业弃研发，引进线。33家单位投13亿买设备。科研经费断，人才流失，工厂转行。光刻这边，本土研究陷停滞。对外开放后，直接买发达国家成品，性价比高，比苦研实惠。
这思路害中国半导体。早期光刻跟得上，60年代接触式，80年代步进。但放弃后，国际飞跃，中国卡住。ASML从1984年起，专注IC前道光刻，40年营收巨。2001年推Twinscan双工件台，提高效率35%，精度提升。中国那时已落后。
2007年，上海微电子突破365nm DUV，用于90nm芯片。2016年SSX600系列步进扫描。但比ASML晚多。ASML1988年向中国交付首台步进，自耕30年，支持行业。但技术垄断，中国本土率低。
2019到2024，中国全球光刻市场占比极低。荷兰占79%，日本17%。2023年ASML营收276亿欧元，中国大陆成大客户，前三季采购52.8亿欧元设备。但高端EUV禁售，2023年1月美日荷一致，禁止出口EUV和DUV。中国外交部指损国际秩序。
高盛2025年9月报告最靠谱股票配资平台，中国光刻停65nm，落后国际20年。5nm以下需EUV，埃米级要更先进。中国本土技术瓶颈，制约高端芯片。ASML CEO说中国落后10-15年，无极紫外设备。根源“造不如买”，短视害深。
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